Вестник УлГТУ

Cite. Gorlov M.I., Sergeev V.A. The effect of electromagnetic radiation on the electrical characteristics of semiconductor products. Bulletin of Ulyanovsk State Technical University. 105(1), 32-40 (2024)

Abstract. The mechanisms of the influence of electromagnetic radiation on various semiconductor products (SPs) are considered: germanium and silicon transistors and silicon integrated circuits. The possibilities of predicting the resistance of SPs to the action of EMR are discussed. A method for comparative evaluation of the reliability of batches of SPs is proposed, based on the measurement and comparison of electrical informative parameters on identical samples from a batch of SPs before and immediately after exposure to highfrequency electromagnetic radiation.

Keywords: electromagnetic radiation, semiconductor products, transistor, integrated circuit, mechanisms of influence.

Цитата. Горлов, М.И. Влияние электромагнитного излучения на электрические характеристики полупроводниковых изделий / М.И. Горлов, В.А. Сергеев // Вестник Ульяновского государственного технического университета. 2024. №1 С. 32‒40

Аннотация. Рассмотрены механизмы влияния электромагнитного излучения (ЭМИ) на различные полупроводниковые изделия (ППИ): германиевые и кремниевые транзисторы и кремниевые интегральные схемы. Обсуждаются возможности прогнозирования стойкости ППИ к действию ЭМИ. Предложен способ сравнительной оценки по надежности партий ППИ, основанный на измерении и сравнении электрических информативных параметров на одинаковых выборках из партии ППИ до и сразу после воздействия высокочастотным электромагнитным излучением.

Ключевые слова: электромагнитное излучение, полупроводниковые изделия, транзистор, интегральная схема, механизмы влияния.

DOI: 10.61527/1684-7016-2024-1-32-40