Вестник УлГТУ
Гаранжа Е. А., Климовский А. Б. Исследование лавинных процессов в транзисторах
Cite. Elizaveta A. Garanzha, Andrew B. Klimovsky Investigation of avalanche processes in transistors // Bulletin of Ulyanovsk State Technical University 108(4), 68-71 (2024).
Abstract. Fail-safe and reliable operation of integrated circuits is related to the quality of its manufacturing. The main elements of integrated circuits are transistors. The paper presents an overview of the main types of transistor breakdowns. It also considers the methodology of testing for resistance to avalanche breakdown energy and describes the most critical parameters of the TIR transistor crystal that affect its resistance during the test.
Keywords: transistor, avalanche breakdown, energy, temperature.
Цитата. Елизавета Александровна Гаранжа, Андрей Борисович Климовский Исследование лавинных процессов в транзисторах // Вестник Ульяновского государственного технического университета. 2024. №4 С. 68‒71.
Аннотация. Безотказная и надёжная работа интегральных микросхем связана с качеством её изготовления. Основным элементов интегральных микросхем являются транзисторы. В работе представлен обзор основных видов пробоев транзисторов. Также рассмотрена методика проведения испытания на устойчивость к воздействию энергии лавинного пробоя и описаны наиболее критичные параметры кристалла МДП-транзистора, влияющие на его стойкость при испытании.
Ключевые слова: транзистор, лавинный пробой, энергия, температура.
doi: 10.61527/1684-7016-2024-4-68-71